3П602Б-2

3П602Б-2

Транзисторы 3П602Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре.

Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.

Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.

Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0006 г.

Тип корпуса: КТ-52.

Категория качества: «ВП».

Технические условия:

- приёмка «5» - аА0.339.227ТУ.

Зарубежный аналог: NEZ1112, TC9502, MA4F005-500, HMF-0624, HMF-0621, HMF-0620, FSX51X.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.