2Т931А

2Т931А

Транзисторы 2Т931А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 7,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Тип корпуса: КТ-32.

Категория качества: «ВП».

Технические условия:

- приемка «5» - аА0.339.037ТУ.

Зарубежный аналог: 2N6369, CM45-12A, CD6105.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т931А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 150 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 250 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (60В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5...100;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 80 Вт на частоте 175 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс