2Т930А

2Т930А

Транзисторы 2Т930А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 6,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Тип корпуса: КТ-32.

Категория качества: «ВП», «ОСМ».

Технические условия:

- приемка «ВП» аА0.339.036ТУ;

- приемка «ОСМ» аА0.339.036ТУ, П0.070.052.

Зарубежный аналог: 2N6362, CD6105.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т930А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;

• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (50В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс