2Т913Б

2Т913Б

Транзисторы 2Т913Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 1,6 г.

Тип корпуса: КТ-16-2.

Вид климатического исполнения: «УХЛ».

Категория качества: «ВП», «ОСМ».

Технические условия:

- приемка «ВП» Я53.365.010ТУ;

- приемка «ОСМ» Я53.365.010ТУ, П0.070.052.

Зарубежный аналог: NE1005E, MRF1004MC, MRF1004MA, MRF1004MB, 2SC1334.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т913Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 900 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (55В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,25 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 5 Вт на частоте 1000 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс