2Т911Б

2Т911Б

Транзисторы СВЧ 2Т911Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В.

Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи специального назначения.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 6,0 г.

Тип корпуса: КТ-18.

Вид климатического исполнения: «УХЛ».

Категория качества: «ВП», «ОСМ».

Технические условия:

- приемка «ВП» И93.365.020ТУ;

- приемка «ОСМ» И93.365.020ТУ, П0.070.052.

Зарубежный аналог: PEE1001T, PDE1001T, 2SC3607.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т911Б:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 840 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (55В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 1 ГГц;

• tрас - Время рассасывания: не более 25 нс