2Т879А

2Т879А

Транзисторы 2Т879А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в мощных переключающих устройствах в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 28,0 г.

Тип корпуса: КТ-5 (TO-63).

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ВП», «ОС».

Технические условия:

- приемка «ВП» аА0.339.609ТУ;

- приемка «ОС» аА0.339.609ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.

Зарубежный аналог: SDT55407, SDT96404, PT7511, SML96404, SML96304, 2N6281.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т879А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 250 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 75 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (200В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 1,2 мкс