2Т878А

2Т878А

Транзисторы 2Т878А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания.

Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 20,0 г.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».

Категория качества: «ВП».

Технические условия:

- приемка «5» - аА0.339.574ТУ.

Зарубежный аналог: 2N6546.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т878А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 900 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (900В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 12... 50;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,1 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 3000 нс

Технические характеристики транзисторов 2Т878А, 2Т878Б, КТ878А, КТ878Б, КТ878В:

Тип

транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП

max Т

max

IК

max IК. И.

max UКЭR max

(UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max

(РК. Т. max) h21Э UКЭ

нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ

А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С

2Т878А n-p-n 25 30 800 - 6 2 (100) 12…50 <1,5 <3 <40 - >10 <500 <10000 150 -60…+125

2Т878Б n-p-n 25 30 600 - 6 2 (100) 12…50 <1,5 <3 <40 - >10 <500 <10000 150 -60…+125

КТ878А n-p-n 25 30 900 - 6 2 (100) 12…50 <1,5 <3 <40 - >10 <500 <10000 150 -60…+125

КТ878Б n-p-n 25 30 600 - 6 2 (100) 12…50 <1,5 <3 <40 - >10 <500 <10000 150 -60…+125

КТ878В n-p-n 25 30 600 - 6 2 (100) 12…50 <1,5 <3 <40 - >10 <500 <10000 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера.