2Т839А

2Т839А

Транзисторы 2Т839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.

Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания.

Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Масса транзистора не более 20,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».

Категория качества: «ВП».

Технические условия:

- приемка «5» - аА0.339.224ТУ.

Зарубежный аналог: BUT56A.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 40000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т839А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,375 Ом