2Т313Б мет.

2Т313Б

Транзисторы 2Т313Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.

Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.

Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ВП», «ОСМ».

Технические условия:

- приемка «ВП» ЩЫ0.336.049ТУ;

- приемка «ОСМ» ЩЫ0.336.049ТУ, П0.070.052.

Зарубежный аналог: 2SA537, 2N3672.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 120000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 150000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т313Б:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 300;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом