2Т3101А-2

2Т3101А-2

Транзисторы 2Т3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц.

Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,04 г.

Тип корпуса: КТ-22.

Категория качества: «ВП».

Технические условия:

- приемка «5» - СБ0.336.064ТУ.

Зарубежный аналог: LT4746, LT3772, LT3700, LT4400, 2SC3098.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Гарантийная наработка:

- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;

- 50000 часов - в облегчённом режиме.

Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3101А-2:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс