Каталог
КВ ТРАНСИВЕРЫ КВ ПРИЕМНИКИ Кварцевые фильтры Диапазонные полосовые фильтры (ДПФ) и ФНЧ Измерители КСВ ГПД и Синтезаторы Усилители мощности Телеграфные ключи Дополнительные устройства к трансиверам и приемникам Приборы радиолюбителя Корпуса и комплектующие Печатные платы ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ 01. МИКРОСХЕМЫ 02. ТРАНЗИСТОРЫ 03. ДИОДЫ, ВАРИКАПЫ, СТАБИЛИТРОНЫ и ТИРИСТОРЫ 04. РЕЗИСТОРЫ 05. ОПТОЭЛЕКТРОНИКА 06. КОНДЕНСАТОРЫ 07. ИНДУКТИВНОСТИ, КАРКАСЫ, ФЕРРИТЫ 08. КВАРЦЫ, ГЕНЕРАТОРЫ, ЭМФ 09. ВАРИСТОРЫ 10.РЕЛЕ 11. ПРОВОДА, РАЗЪЕМЫ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ, РУЧКИ 12. Радиолампы 13. Предохранители 14. ВСЁ ДЛЯ ПАЙКИ И МОНТАЖА 15. ПРИБОРЫ, МИКРОФОНЫ, ДИНАМИКИ 16. ТРАНСФОРМАТОРЫ 17. РАДИАТОРЫ

FOR ENGLISH USE WWW.RV3YF.US                       МЫ РАБОТАЕМ ЕЖЕДНЕВНО:  С 9.00 до 19.00 (время Московское)

Каталог +7(926) 9-911-911 sales@rv3yf.ru
С 9.00 до 19.00 (время Московское)
Сравнение Личный кабинет Request a call
sales@rv3yf.ru
+7(926) 9-911-911
+7(926) 9-911-911
Request a call
С 9.00 до 19.00 (время Московское)
город Москва, Град Московский, ул. Радужная 16
Каталог
НАБОРЫ и ИЗДЕЛИЯ КОМПОНЕНТЫ Условия заказа Блог Обратная связь АКЦИЯ
Новости Все новости 5% на КВ приемники в память о RV3YF... Новые Корпуса: Десна, Клопик и Лидия! Главная Транзисторы отечественные

1Т313Б

В корзину Предзаказ

1Т313Б

Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 2,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».

Категория качества: «ВП», «ОС».

Технические условия: ЖК3.365.161ТУ.

 

Основные технические характеристики транзистора 1Т313Б:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц;

• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;

• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;

• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс

Оставьте свой отзыв первым! Оставить отзыв
Перед публикацией комментарии проходят модерацию