1Т313А

1Т313А

Транзисторы 1Т313А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 2,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».

Категория качества: «ВП», «ОС».

Технические условия: ЖК3.365.161ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т313А:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 300 МГц;

• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;

• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;

• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...250 при 5В; 5мА;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс