1Т311Б (ГТ)

1Т311Б

Транзисторы 1Т311Б германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 2,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».

Категория качества: «ВП».

Технические условия: ЖК3.365.158ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311Б:

• Структура: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 300 МГц;

• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;

• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...180 при 3В; 5мА;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется