1Т308В

1Т308В

Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные.

Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.

Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТЮ-3-4.

Масса транзистора не более 2,2 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ВП», «ОС».

Технические условия: ЖК3.365.120ТУ.

Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308В:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;

• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;

• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц);

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс